Número de Producto del Fabricante:
TSM018NB03CR RLG
Product Overview
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Número de pieza:
TSM018NB03CR RLG-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 29A/194A 8PDFN
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 29A (Ta), 194A (Tc) 3.1W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6)
Inventario:
4970 Pcs Nuevos Originales En Stock
13270740
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ENVIAR
TSM018NB03CR RLG Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
29A (Ta), 194A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.8mOhm @ 29A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
7252 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.1W (Ta), 136W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-PDFN (5x6)
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Número de producto base
TSM018
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
1801-TSM018NB03CRRLGCT
1801-TSM018NB03CRRLGDKR
1801-TSM018NB03CRRLGTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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